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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

IPD640N06L G 

产品描述

MOSFET N-CH 60V 18A

内部编号

173-IPD640N06L-G

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

 数量:40
10+¥3.3155
250+¥3.04
1000+¥3.0115
5000+¥2.983
25000+¥2.9545
最小起订量:10
英国伦敦
当天发货，5-8个工作日送达.
立即询价

#2

 数量:5480
1+¥4.0342
10+¥3.4052
100+¥2.1949
1000+¥1.7573
2500+¥1.4838
10000+¥1.4222
25000+¥1.3675
50000+¥1.3128
最小起订量:1
美国加州
当天发货，1-3个工作日送达.
立即询价

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

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全场免运费 /报价不含任何销售税
支付方式

IPD640N06L G产品详细规格

规格书 IPD640N06L G datasheet 规格书
IPD640N06L G
IPD640N06L G datasheet 规格书
IPD640N06L G datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,500
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS） 60V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C 18A
Rds（最大）@ ID，VGS 64 mOhm @ 18A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id 2V @ 16µA
栅极电荷（Qg）@ VGS 13nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的 470pF @ 30V
功率 - 最大 47W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装 PG-TO252-3
包装材料 Tape & Reel (TR)

IPD640N06L G系列产品

型号厂家产品描述
IPD640N06LG infineon technologies Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) TO-252
IPD640N06LGBTMA1 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) TO-252

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